金融界2025年7月1日音讯，国度学问产权局信息暴露，德州仪器公司央求一项名为“具有衬底接点的III-N半导体安设”的专利，公开号CN120239296A买球·(中国)APP官方网站，央求日历为2024年12月。

专利摘录暴露，本央求波及具有衬底接点的III‑N半导体安设。半导体安设(100)包括：半导体衬底(102)；III‑N半导体层(106)，其位于所述半导体衬底上方；构兵垫(114)，其位于所述III‑N半导体层上；第一介电层(202)，其位于所述III‑N半导体层上方；第一金属接点(502)，其穿过所述第一介电层且构兵所述构兵垫；选取二金属接点(402MSP)，其包含构兵所述第一介电层的第一侧和构兵第二介电层(506)的第二侧，且构兵所述半导体衬底。

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